53.6W 5A 600V TO-252(DPAK) IGBTs ROHS
Category: Triode/MOS Tube/Transistor / IGBTs
Specifications:
- Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic): -
- Operating Temperature: -40℃~+175℃@(Tj)
- Type: -
- Pulsed Collector Current (Icm): 7.5A
- Power Dissipation (Pd): 53.6W
- Collector Current (Ic): 5A
- Diode Reverse Recovery Time (Trr): 31ns
- Input Capacitance (Cies@Vce): -
- Turn?on Switching Loss (Eon): 0.09mJ
- Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces): 600V
שימו לב:
מוצר זה הוא חלק משירות ניסיוני של רכש רכיבים.
תוכלו לקרוא על מגבלות השירות כאן.
מחלקות עם מוצרים דומים:
מאפיינים:
- יצרן: Infineon Technologies
- מק"ט יצרן: IKD03N60RF
- אריזה: TO-252(DPAK)
- RoHS: כן
- סוג מארז: Tape & Reel
- כמות במארז: 2500
קישורים:
נתוני משלוח (הסבר):
- אריזה מינימלית: מעטפה מרופדת