56W 15A 600V TO-252-2(DPAK) IGBTs ROHS
Category: Triode/MOS Tube/Transistor / IGBTs
Specifications:
- Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic): 2.5V@15V,3A
- Operating Temperature: -55℃~+150℃@(Tj)
- Power Dissipation (Pd): 56W
- Diode Reverse Recovery Time (Trr): 21ns
- Turn?off Delay Time (Td(off)): 76ns
- Turn?off Switching Loss (Eoff): 0.068mJ
- Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces): 600V
- Type: -
- Turn?on Delay Time (Td(on)): 12ns
- Total Gate Charge (Qg@Ic,Vge): 13.6nC
- Pulsed Collector Current (Icm): 21A
- Collector Current (Ic): 15A
- Turn?on Switching Loss (Eon): 0.02mJ
- Input Capacitance (Cies@Vce): -
שימו לב:
מוצר זה הוא חלק משירות ניסיוני של רכש רכיבים.
תוכלו לקרוא על מגבלות השירות כאן.
מחלקות עם מוצרים דומים:
מאפיינים:
- יצרן: STMicroelectronics
- מק"ט יצרן: STGD6NC60HDT4
- אריזה: TO-252-2(DPAK)
- RoHS: כן
- סוג מארז: Tape & Reel
- כמות במארז: 2500
קישורים:
נתוני משלוח (הסבר):
- אריזה מינימלית: מעטפה מרופדת