6V 625mW 200@10mA,5V 600mA NPN TO-92 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Category: Triode/MOS Tube/Transistor / Bipolar Transistors - BJT
Specifications:
- Transition Frequency (fT): 100MHz
- Operating Temperature: +150℃@(Tj)
- Collector Cut-Off Current (Icbo): 50nA
- Transistor Type: NPN
- DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 200@10mA,5V
- Power Dissipation (Pd): 625mW
- Collector Current (Ic): 600mA
- Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 200mV@50mA,5mA
- Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 6V
שימו לב:
מוצר זה הוא חלק משירות ניסיוני של רכש רכיבים.
תוכלו לקרוא על מגבלות השירות כאן.
מחלקות עם מוצרים דומים:
מאפיינים:
- יצרן: Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd.
- מק"ט יצרן: 2N5551K-TA
- אריזה: TO-92
- RoHS: כן
- סוג מארז: Bag
- כמות במארז: 1000
קישורים:
נתוני משלוח (הסבר):
- אריזה מינימלית: מעטפה מרופדת
