650V 1.8A 25W 3Ω@10V,1.1A 3.9V@80uA N Channel TO-251(I-PAK) MOSFETs ROHS
Category: Triode/MOS Tube/Transistor / MOSFETs
Specifications:
- Drain Source Voltage (Vdss): 650V
- Continuous Drain Current (Id): 1.8A
- Power Dissipation (Pd): 25W
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 3Ω@10V,1.1A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3.9V@80uA
- Type: N Channel
שימו לב:
מוצר זה הוא חלק משירות ניסיוני של רכש רכיבים.
תוכלו לקרוא על מגבלות השירות כאן.
מחלקות עם מוצרים דומים:
מאפיינים:
- יצרן: Infineon Technologies
- מק"ט יצרן: SPU02N60C3
- אריזה: TO-251(I-PAK)
- RoHS: כן
- סוג מארז: Tube
- כמות במארז: 1500
קישורים:
נתוני משלוח (הסבר):
- אריזה מינימלית: מעטפה מרופדת