650V 21A 180W 180mΩ@10V,10.5A 4V@250μA N Channel TO-263-2 MOSFETs ROHS
Category: Transistors / MOSFETs
Specifications:
- Drain Source Voltage (Vdss): 650V
- Continuous Drain Current (Id): 21A
- Power Dissipation (Pd): 180W
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 180mΩ@10V,10.5A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@250μA
- Type: N Channel
שימו לב:
מוצר זה הוא חלק משירות ניסיוני של רכש רכיבים.
תוכלו לקרוא על מגבלות השירות כאן.
מחלקות עם מוצרים דומים:
מאפיינים:
- יצרן: Wuxi NCE Power Semiconductor
- מק"ט יצרן: NCE65T180D
- אריזה: TO-263-2
- RoHS: כן
- סוג מארז: Tape & Reel
- כמות במארז: 800
קישורים:
נתוני משלוח (הסבר):
- משקל: 2 גרם
- אריזה מינימלית: מעטפה מרופדת
