150V 2.6A 105mΩ@10V,4.1A 1.4W 4V@250μA 2 N-Channel PowerPAK SO-8 MOSFETs ROHS
Category: Transistors / MOSFETs
Specifications:
- Drain Source Voltage (Vdss): 150V
- Continuous Drain Current (Id): 2.6A
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 105mΩ@10V,4.1A
- Power Dissipation (Pd): 1.4W
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@250μA
- Type: 2 N-Channel
שימו לב:
מוצר זה הוא חלק משירות ניסיוני של רכש רכיבים.
תוכלו לקרוא על מגבלות השירות כאן.
מחלקות עם מוצרים דומים:
מאפיינים:
- יצרן: Vishay Intertech
- מק"ט יצרן: SI7956DP-T1-GE3
- אריזה: PowerPAK SO-8
- RoHS: כן
- סוג מארז: לא ידוע
- כמות במארז: 3000
קישורים:
נתוני משלוח (הסבר):
- אריזה מינימלית: מעטפה מרופדת
