150V 2A 295mΩ@10V,4A 5.9W 4V@250uA P Channel SOIC-8 MOSFETs ROHS
Category: Triode/MOS Tube/Transistor / MOSFETs
Specifications:
- Continuous Drain Current (Id): 2A
- Input Capacitance (Ciss@Vds): 1.19nF@50V
- Operating Temperature: -55℃~+150℃@(Tj)
- Type: P Channel
- Drain Source Voltage (Vdss): 150V
- Power Dissipation (Pd): 5.9W
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@250uA
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 295mΩ@10V,4A
- Total Gate Charge (Qg@Vgs): 42nC@10V
שימו לב:
מוצר זה הוא חלק משירות ניסיוני של רכש רכיבים.
תוכלו לקרוא על מגבלות השירות כאן.
מחלקות עם מוצרים דומים:
מאפיינים:
- יצרן: Vishay Intertech
- מק"ט יצרן: SI4455DY-T1-GE3
- אריזה: SOIC-8
- RoHS: כן
- סוג מארז: Tape & Reel
- כמות במארז: 2500
קישורים:
נתוני משלוח (הסבר):
- אריזה מינימלית: מעטפה מרופדת