100A 1.2kV IGBT Modules - IGBTs ROHS
Category: Triode/MOS Tube/Transistor / IGBTs
Specifications:
- Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic): 6.8V@3.3mA
- Operating Temperature: -40℃~+150℃@(Tvjop)
- Power Dissipation (Pd): -
- Diode Forward Voltage (Vf@If): 2.25V@100A
- Diode Reverse Recovery Time (Trr): 140ns
- Turn?off Delay Time (Td(off)): 240ns
- Turn?off Switching Loss (Eoff): 10.2mJ
- Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces): 1.2kV
- Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Vge): 1.9V@100A,15V
- Collector Cut-Off Current (Ices@Vce): 1mA@1.2kV
- Type: IGBT Modules
- Turn?on Delay Time (Td(on)): 40ns
- Total Gate Charge (Qg@Ic,Vge): -
- Pulsed Collector Current (Icm): 200A
- Collector Current (Ic): 100A
- Turn?on Switching Loss (Eon): 9.5mJ
- Input Capacitance (Cies@Vce): 6.9nF@25V
שימו לב:
מוצר זה הוא חלק משירות ניסיוני של רכש רכיבים.
תוכלו לקרוא על מגבלות השירות כאן.
מחלקות עם מוצרים דומים:
מאפיינים:
- יצרן: XINER
- מק"ט יצרן: XNG100B24TC1S5
- אריזה: -
- RoHS: כן
- סוג מארז: Box
- כמות במארז: 16
קישורים:
נתוני משלוח (הסבר):
- אריזה מינימלית: מעטפה מרופדת