1.1kW 320A 1.2kV IGBT Modules - IGBTs ROHS
Category: Triode/MOS Tube/Transistor / IGBTs
שימו לב:
מוצר זה הוא חלק משירות ניסיוני של רכש רכיבים.
תוכלו לקרוא על מגבלות השירות כאן.
מחלקות עם מוצרים דומים:
מאפיינים:
- יצרן: Infineon Technologies
- מק"ט יצרן: FF200R12KT4
- סוג: IGBT Modules
- טמפרטורת עבודה: -40℃~+150℃@(Tvjop)
- Collector Current (Ic): 320A
- Power Dissipation (Pd): 1.1kW
- Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic): 5.8V@7.6mA
- Diode Reverse Recovery Time (Trr): -
- Turn?off Delay Time (Td(off)): 450ns
- Turn?off Switching Loss (Eoff): 14mJ
- Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces): 1.2kV
- Turn?on Delay Time (Td(on)): 160ns
- Total Gate Charge (Qg@Ic,Vge): -
- Input Capacitance (Cies@Vce): 1.4nF@25V
- Turn?on Switching Loss (Eon): 10mJ
- Diode Forward Voltage (Vf@If): 1.65V@200A
- Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Vge): 1.75V@200A,15V
- אריזה: -
- RoHS: כן
- סוג מארז: Tray
- כמות במארז: 10
קישורים:
נתוני משלוח (הסבר):
- אריזה מינימלית: מעטפה מרופדת
