100V 20A 36mΩ@10V,20A 33W 3V@250uA 9.5pF@50V -55℃@(Tj) N Channel 587.5pF@50V 11.4nC@10V +150℃@(Tj) DFN3.3X3.3-8L MOSFETs ROHS
Category: Transistors / MOSFETs
Specifications:
- Drain Source Voltage (Vdss): 100V
- Continuous Drain Current (Id): 20A
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 36mΩ@10V,20A
- Power Dissipation (Pd): 33W
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3V@250uA
- Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 9.5pF@50V
- Operating Temperature (Min): -55℃@(Tj)
- Type: N Channel
- Input Capacitance (Ciss@Vds): 587.5pF@50V
- Total Gate Charge (Qg@Vgs): 11.4nC@10V
- Operating Temperature (Max): +150℃@(Tj)
שימו לב:
מוצר זה הוא חלק משירות ניסיוני של רכש רכיבים.
תוכלו לקרוא על מגבלות השירות כאן.
מחלקות עם מוצרים דומים:
מאפיינים:
- יצרן: Wuxi NCE Power Semiconductor
- מק"ט יצרן: NCEP0120Q
- אריזה: DFN3.3X3.3-8L
- RoHS: כן
- סוג מארז: Tape & Reel
- כמות במארז: 5000
קישורים:
נתוני משלוח (הסבר):
- אריזה מינימלית: מעטפה מרופדת