1.3kW 30A 1200V IGBT Modules - IGBTs ROHS
Category: Triode/MOS Tube/Transistor / IGBTs
Specifications:
- Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic): 5.8V@480uA
- Operating Temperature: -40℃~+150℃@(Tvjop)
- Power Dissipation (Pd): 1.3kW
- Diode Forward Voltage (Vf@If): 2V@15A
- Diode Reverse Recovery Time (Trr): -
- Turn?off Delay Time (Td(off)): 112ns
- Turn?off Switching Loss (Eoff): 1.01mJ
- Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces): 1200V
- Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Vge): 1.9V@15A,15V
- Collector Cut-Off Current (Ices@Vce): 1mA@1200V
- Type: IGBT Modules
- Turn?on Delay Time (Td(on)): 112ns
- Total Gate Charge (Qg@Ic,Vge): 68nC@15A,15V
- Pulsed Collector Current (Icm): 30A
- Collector Current (Ic): 30A
- Turn?on Switching Loss (Eon): 5.18mJ
- Input Capacitance (Cies@Vce): 903pF@25V
שימו לב:
מוצר זה הוא חלק משירות ניסיוני של רכש רכיבים.
תוכלו לקרוא על מגבלות השירות כאן.
מחלקות עם מוצרים דומים:
מאפיינים:
- יצרן: XDM
- מק"ט יצרן: XP15PJS120CL1B1
- אריזה: -
- RoHS: כן
- סוג מארז: Box
- כמות במארז: 24
קישורים:
נתוני משלוח (הסבר):
- אריזה מינימלית: מעטפה מרופדת