facebook pixel HUAYI HYG068N08NR1P - www.4project.co.il
Main logo www.4project.co.il
כל הרכיבים לפרוייקט שלכם
עגלת קניות

העגלה ריקה

לקוחות נכבדים, אלה שעות הפעילות של המחסן במהלך פסח 2024:
ערב חג וחג ראשון (22-23/04) - המחסן סגור
חול המועד (24-25/04) - המחסן יפעל בין 8:00 עד 15:00
ערב חג וחג שני (28-29/04) - המחסן סגור
נחזור לפעילות רגילה ביום שלישי 30/04
חג שמח!

HUAYI HYG068N08NR1P

מספר קטלוגי: 4P-555659 / C2830700
מחיר / מחירים
  • כמות מחיר ליחידה
  • 1: 8.68 ₪
  • 10: 7.22 ₪
  • 30: 6.47 ₪
  • 100: 5.74 ₪
  • 500: 5.31 ₪
  • 1000: 5.08 ₪

(המחירים כוללים מע"מ)

מלאי (הסבר)

- מלאי שלנו: 0

- מלאי ספק: בודקים...
מעדכנים...


מצטערים, כרגע אין לנו את המוצר במלאי, אבל נוכל להזמין מהספק

זמן אספקה

זמן אספקה לא ידוע


הזמנה
* הזמנה מיוחדת (הסבר)

HUAYI HYG068N08NR1P
לחץ להגדלה
הנחת כמות
התמונות להמחשה בלבד

80V 160A 6mΩ@10V,60A 268W 3V@250uA N Channel TO-220FB-3 MOSFETs ROHS

Category: Triode/MOS Tube/Transistor / MOSFETs


שימו לב:
מוצר זה הוא חלק משירות ניסיוני של רכש רכיבים.
תוכלו לקרוא על מגבלות השירות כאן.

מחלקות עם מוצרים דומים:

מאפיינים:

  • יצרן: HUAYI
  • מק"ט יצרן: HYG068N08NR1P
  • סוג: N Channel
  • טמפרטורת עבודה: -55℃~+175℃@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 268W
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 3.722nF@25V
  • Continuous Drain Current (Id): 160A
  • Drain Source Voltage (Vdss): 80V
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 231pF@25V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 6mΩ@10V,60A
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 84nC@10V
  • אריזה: TO-220FB-3
  • RoHS: כן
  • סוג מארז: Box
  • כמות במארז: 1,000

קישורים:

נתוני משלוח (הסבר):

  • אריזה מינימלית: מעטפה מרופדת
התחברות:
האתר מאובטח ע"י:
כאן ניתן לשלם באמצעות:
משווקים מורשים של:
  • Arduino Logo
  • SparkFun Logo
  • Pololu Logo
  • ServoCity Logo
  • goBILDA Logo
  • Actobotics Logo
  • SeeedStudio Logo
  • WaveShare Logo