40V 55A 62.5W 9mΩ@10V,20A 1.6V@250uA P Channel PDFN-8(5.9x5.2) MOSFETs ROHS
Category: Triode/MOS Tube/Transistor / MOSFETs
Specifications:
- Continuous Drain Current (Id): 55A
- Input Capacitance (Ciss@Vds): 4.468nF@25V
- Operating Temperature: -55℃~+175℃@(Tj)
- Type: P Channel
- Drain Source Voltage (Vdss): 40V
- Power Dissipation (Pd): 62.5W
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.6V@250uA
- Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 140pF@25V
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 9mΩ@10V,20A
- Total Gate Charge (Qg@Vgs): 76nC@10V
שימו לב:
מוצר זה הוא חלק משירות ניסיוני של רכש רכיבים.
תוכלו לקרוא על מגבלות השירות כאן.
מחלקות עם מוצרים דומים:
מאפיינים:
- יצרן: HUAYI
- מק"ט יצרן: HYG110P04LQ2C2
- אריזה: PDFN-8(5.9x5.2)
- RoHS: כן
- סוג מארז: Tape & Reel
- כמות במארז: 5000
קישורים:
נתוני משלוח (הסבר):
- אריזה מינימלית: מעטפה מרופדת