650V 4A 36W 2Ω@10V,2A 4V@250uA N Channel TO-252-3L MOSFETs ROHS
Category: Triode/MOS Tube/Transistor / MOSFETs
Specifications:
- Continuous Drain Current (Id): 4A
- Input Capacitance (Ciss@Vds): 580pF@25V
- Operating Temperature: -55℃~+150℃@(Tj)
- Type: N Channel
- Drain Source Voltage (Vdss): 650V
- Power Dissipation (Pd): 36W
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@250uA
- Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 10.9pF@25V
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 2Ω@10V,2A
- Total Gate Charge (Qg@Vgs): 15nC@10V
שימו לב:
מוצר זה הוא חלק משירות ניסיוני של רכש רכיבים.
תוכלו לקרוא על מגבלות השירות כאן.
מחלקות עם מוצרים דומים:
מאפיינים:
- יצרן: A Power microelectronics
- מק"ט יצרן: AP4N65D
- אריזה: TO-252-3L
- RoHS: כן
- סוג מארז: Tape & Reel
- כמות במארז: 2500
קישורים:
נתוני משלוח (הסבר):
- אריזה מינימלית: מעטפה מרופדת