100V 1.56W 10@3A,4V 3A PNP TO-252-2(DPAK) Bipolar Transistors - BJT ROHS
Category: Triode/MOS Tube/Transistor / Bipolar Transistors - BJT
שימו לב:
מוצר זה הוא חלק משירות ניסיוני של רכש רכיבים.
תוכלו לקרוא על מגבלות השירות כאן.
מחלקות עם מוצרים דומים:
מאפיינים:
- יצרן: onsemi
- מק"ט יצרן: MJD32CT4G
- טמפרטורת עבודה: -65℃~+150℃@(Tj)
- Transistor Type: PNP
- Collector Current (Ic): 3A
- DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 10@3A,4V
- Power Dissipation (Pd): 1.56W
- Transition frequency (fT): 3MHz
- Collector-emitter saturation voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 1.2V@3A,375mA
- Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 100V
- Collector Cut-Off Current (Icbo): 50uA
- אריזה: TO-252-2(DPAK)
- RoHS: כן
- סוג מארז: Tape & Reel
- כמות במארז: 2,500
קישורים:
נתוני משלוח (הסבר):
- אריזה מינימלית: מעטפה מרופדת
