313W 100A 1.2kV IGBT Modules - IGBTs ROHS
Category: Triode/MOS Tube/Transistor / IGBTs
Specifications:
- Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic): 6.1V@2mA
- Operating Temperature: -40℃~+150℃@(Tj)
- Power Dissipation (Pd): 313W
- Diode Forward Voltage (Vf@If): 1.9V@40A
- Diode Reverse Recovery Time (Trr): 185ns
- Turn?off Delay Time (Td(off)): 228ns
- Turn?off Switching Loss (Eoff): 4mJ
- Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces): 1.2kV
- Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Vge): 1.7V@50A,15V
- Collector Cut-Off Current (Ices@Vce): 2mA@1.2kV
- Type: IGBT Modules
- Turn?on Delay Time (Td(on)): 67ns
- Total Gate Charge (Qg@Ic,Vge): 427nC@50A,15V
- Pulsed Collector Current (Icm): 100A
- Collector Current (Ic): 100A
- Turn?on Switching Loss (Eon): 25mJ
- Input Capacitance (Cies@Vce): 5.731nF@25V
שימו לב:
מוצר זה הוא חלק משירות ניסיוני של רכש רכיבים.
תוכלו לקרוא על מגבלות השירות כאן.
מחלקות עם מוצרים דומים:
מאפיינים:
- יצרן: JUNSHINE
- מק"ט יצרן: KWRFF50R12SWM
- אריזה: -
- RoHS: כן
- סוג מארז: Box
- כמות במארז: 20
קישורים:
נתוני משלוח (הסבר):
- אריזה מינימלית: מעטפה מרופדת