650V 31A 117W 99mΩ@10.5A,10V 4V@530uA N Channel TO-263-3 MOSFETs ROHS
Category: Triode/MOS Tube/Transistor / MOSFETs
שימו לב:
מוצר זה הוא חלק משירות ניסיוני של רכש רכיבים.
תוכלו לקרוא על מגבלות השירות כאן.
מחלקות עם מוצרים דומים:
מאפיינים:
- יצרן: Infineon Technologies
- מק"ט יצרן: IPB60R099P7ATMA1
- סוג: N Channel
- טמפרטורת עבודה: -55℃~+150℃@(Tj)
- Power Dissipation (Pd): 117W
- Input Capacitance (Ciss@Vds): 1.952nF@400V
- Continuous Drain Current (Id): 31A
- Drain Source Voltage (Vdss): 650V
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@530uA
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 99mΩ@10.5A,10V
- Total Gate Charge (Qg@Vgs): 45nC@10V
- אריזה: TO-263-3
- RoHS: כן
- סוג מארז: Tape & Reel
- כמות במארז: 1,000
קישורים:
נתוני משלוח (הסבר):
- אריזה מינימלית: מעטפה מרופדת